化學機械拋光（CMP）：平坦化主要工藝

化學機械拋光工藝簡介

化學機械拋光技術(CMP)是集成電路制造中獲得全局平坦化的一種手段，這種工藝是為了 能夠獲得既平坦、又無劃痕和雜質玷污的表面而專門設計的。與傳統(tǒng)的純機械或純化學的 拋光方法不同，CMP 工藝是通過表面化學作用和機械研磨的技術來實現(xiàn)晶圓表面微米/納 米級不同材料的去除，從而達到晶圓表面的高度（納米級）平坦化效應，使下一步的光刻 工藝得以進行。

CMP 的主要工作原理是在一定的壓力及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊做相對 運動，借助納米磨料的機械研磨作用與各類化學試劑的化學作用之間的高度有機結合，使被拋光的晶圓表面達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根據(jù)不同工藝制程和 技術節(jié)點的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)過程中都會經(jīng)歷幾道甚至幾十道的 CMP 拋光工藝步驟。

CMP 的主要檢測參數(shù)包括研磨速率、研磨均勻性和缺陷量。研磨速率是指單位時間內圓 片表面材料被研磨的總量。研磨均勻性又分為圓片內研磨均勻性和圓片間研磨均勻性。圓 片內研磨均勻性是指某個圓片研磨速率的標準方差與研磨速率的比值；圓片間研磨均勻性 用于表示不同圓片在同一條件下研磨速率的一致性。對于 CMP 而言，主要的缺陷包括表 面顆粒、表面刮傷、研磨劑殘留等，它將直接影響產(chǎn)品的成品率。

CMP 工藝后的器件材料損耗要小于整個器件厚度的 10%。也就是說不僅要使材料被有效 去除，還要能夠精準地控制去除速率和最終效果。隨著器件特征尺寸的不斷縮小，缺陷對 于工藝控制和最終良率的影響愈發(fā)的明顯，降低缺陷是 CMP 工藝的核心技術要求。

CMP 技術所采用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光液、拋光墊、后 CMP 清洗設備、拋 光終點測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。CMP 設備主要分為兩部分，即拋光 部分和清洗部分，拋光部分由 4 部分組成，即 3 個拋光轉盤和一個圓片裝卸載模塊。清洗 部分負責圓片的清洗和甩干，實現(xiàn)圓片的“干進干出”。

拋光墊：CMP 工藝技術核心

拋光墊是輸送和容納拋光液的關鍵部件，在化學機械拋光的過程中，拋光墊的作用是：

1） 把拋光液有效均勻地輸送到拋光墊的不同區(qū)域；

2）將拋光后的反應物、碎屑等順利排出， 達到去除效果；

3）維持拋光墊表面的拋光液薄膜，以便化學反應充分進行；

4）保持拋光 過程的平穩(wěn)、表面不變形,以便獲得較好的晶片表面形貌；

按是否含有磨料拋光墊可分為有磨料拋光墊和無磨料拋光墊；按材質可分為聚氨酯拋光墊、 無紡布拋光墊和復合型拋光墊；按表面結構可分為平面型拋光墊、網(wǎng)格型拋光墊和螺旋線 型拋光墊。此外，拋光墊也可以分為硬質拋光墊和軟質拋光墊兩種。

一般，硬質的拋光墊 可較好地保證工件表面的平整度和較高的材料去除率，軟質的拋光墊可獲得加工變質層和 表面粗糙度都很小的拋光表面。其中，硬質拋光墊包含有各種粗布墊、纖維織物墊、聚乙 烯墊等，軟質包含有各種絨毛墊、聚氨酯墊和細毛氈墊等。

由于 CMP 基于對拋光表面凸峰材料選擇性去除的工作原理，因此較硬的拋光墊更有利于 材料去除，且能獲得較高的平面度，但硬度過高則容易引起表面損傷和材料去除不均勻等 問題。而較軟的拋光墊雖然可以獲得表面粗糙度和加工變質層都很小的光滑表面，但其接 觸表面容易發(fā)生變形，不具備對凸峰材料的選擇性去除，因此拋光效率低且平面度差。

拋光墊的物理特性與 CMP 的效率和質量有著密切關系：

（1）拋光墊硬度很大程度上決定 著其面形精度的保持能力，較硬的拋光墊有利于獲得平面度較好的拋光表面，而較軟拋光 墊可以保證良好的表面質量和較淺的加工變質層。

（2）拋光墊的彈性模量和剪切模量是影 響加工性能的關鍵因素。高彈性模量的拋光墊承受接觸載荷的能力強，拋光效率高。剪切 模量決定拋光墊抵抗旋轉方向向上力的能力，材料去除率與之成反比，而且溫度對拋光墊 剪切模量會產(chǎn)生影響，彈性模量和剪切模量保持能力強的拋光墊壽命長、拋光效果好。

（3） 拋光墊與晶圓表面的貼合程度受其壓縮性能影響，拋光效率和加工表面的平面度與此有著 密切關系。

為達到高的拋光效率，拋光墊應對工作表面凸起部分進行選擇性去除，而且盡可能避免與 表面凹陷部分發(fā)生作用。可壓縮性好的拋光墊可避免與凹區(qū)表面發(fā)生接觸，更好的對凸峰 材料進行選擇性去除，因而拋光效率高。不過拋光墊的可壓縮性太大則不利于拋光表面材 料的均勻去除，因而可壓縮性應控制在適當范圍。

拋光液：CMP 技術中成本最高的部分

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清 洗和增光性能，并能使金屬制品超過原有的光澤。產(chǎn)品性能穩(wěn)定、無毒，對環(huán)境無污染。拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋 光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即 CMP 拋光液）、氧化 鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

氧化硅拋光液（CMP 拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金 屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化 合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。CMP 拋光液 的主要作用是為拋光對象提供研磨及腐蝕溶解。

在化學機械拋光過程中，拋光液與晶片之間發(fā)生化學反應，在晶片表面形成一層鈍化膜, 然后由拋光液中的磨料利用機械力將反應產(chǎn)物去除，所以拋光液對拋光效率和加工質量有 著重要影響。

CMP 拋光液的主要成分一般包括：去離子水、磨料、pH 值調節(jié)劑、氧化劑、抑制劑和表 面活性劑等。

此外，拋光液的流速對拋光效果也有很大的影響。當拋光液的流速過小時，晶片、磨料及 拋光墊三者之間的摩擦力增大，溫度升高，導致加工表面粗糙度加大，表面平整度降低；當流速較大時，能夠使反應產(chǎn)物及時脫離加工表面，還可以降低加工區(qū)域的溫度，使得加 工表面溫度相對一致，從而獲得較好的表面質量。

但拋光液流速過大時，又會破壞加工表 面平整度，降低拋光效率。目前很多公司廣泛運用的一種方法是拋光開始階段采用較小的 流速，隨著加工區(qū)域溫度的升高，流速逐漸提升至平均值，最后階段采用較大的流速。

技術進步為 CMP 拋光材料帶來增長機會

半導體集成電路技術不斷進步，必然出現(xiàn)多種新技術和新襯底材料，這些新技術和新襯底 材料對拋光工藝材料提出了許多新的要求。

具體而言，更先進的邏輯芯片工藝會要求拋光新的材料，為 CMP 拋光材料帶來了更多的 增長機會，例如 14nm 以下邏輯芯片工藝要求的關鍵 CMP 工藝將達到 20 步以上，使用 的拋光液將從 90nm 的五六種拋光液增加到二十種以上，種類和用量迅速增長；7nm 及以 下邏輯芯片工藝中 CMP 拋光步驟甚至可能達到 30 步，使用的拋光液種類接近三十種。此 外，存儲芯片由 2D NAND 向 3D NAND 技術變革，也會使 CMP 拋光步驟近乎翻倍。即 使是同一技術節(jié)點，不同客戶的技術水平和工藝特點不同，對拋光材料的需求也不同。

CMP 材料國產(chǎn)率低，進口替代空間大

根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018 年全球 CMP 拋光材料市場規(guī)模為 20.1 億美元，其中拋光 液和拋光墊市場規(guī)模分別為 12.7 億美元和 7.4 億美元，中國拋光液市場規(guī)模約 16 億人民 幣，預計 2017-2020 年全球 CMP 拋光材料市場規(guī)模年復合增長率為 6%。

拋光墊一家獨大，拋光液美日壟斷

根據(jù)立鼎產(chǎn)業(yè)研究中心數(shù)據(jù)，CMP 拋光墊市場主要供應商為美國陶氏化學，市場份額高 達 79%，陶氏的 20 英寸拋光墊占據(jù)了 85%的市場份額，30 英寸的市占率則更高。排名 第二的是美國 Cabot 公司，所占市場份額為 5%，其次是 ThomasWest、FOJIBO、JSR， 所占市場份額分別為 4%、2%、1%。國內企業(yè)在該領域基本沒有話語權。如同其他的半 導體核心原材料，CMP 拋光墊具有技術門檻高、客戶認證周期長、供應鏈上下游利益聯(lián) 系緊密、行業(yè)集中度高、產(chǎn)品更新?lián)Q代快的特征。這就大大加大了該行業(yè)的進入門檻和產(chǎn) 品附加值。

在電子與成像業(yè)務(Electronics&Imaging)中，陶氏化學提供廣泛的半導體和高級封裝材料 組合，包括化學機械平面化（CMP）墊和漿、光刻用光阻劑和高級涂層、用于后端高級芯 片封裝的金屬化解決方案以及用于發(fā)光二極管（LED）封裝和半導體 AP 的硅酮。2018 年，電子與成像業(yè)務收入 26.15 億美元，占總營收的 4.71%。

拋光液方面，長期以來，全球化學機械拋光液市場主要被美國和日本企業(yè)所壟斷，包括美 國的 CabotMicroelectronics、Versum 和日本的 Fujimi 等。根據(jù)公司年報，美國的 Cabot 全球拋光液市場占有率最高，但已從 2000 年約 80%下降至 2017 年約 35%，這表明全球 拋光液市場朝向多元化發(fā)展，地區(qū)本土化自給率提升。

Cabot 是全球領先的化學機械拋光液供應商和第二大化學機械拋光墊供應商。2018 年度， Cabot 銷售總收入 5.9 億美元，其中，鎢拋光液、電介質拋光其他金屬拋光液銷售收入 4.61 億美元，總占比 78.28%，分別占比 42.88%、23.65%、11.75%。與 2017 相比，鎢拋光 液、電介質拋光液、拋光墊、其他金屬拋光液的收入分別增長了 14.3%、16.1%、21%、 10.3%。Cabot 的客戶主要來自于亞洲，亞洲的營業(yè)收入份額占到了全部市場的 79.85%， 其次是美國和歐洲，分別占到了總營業(yè)收入的 13.39%、6.76%。

根據(jù)安集微電子招股說明書，國內市場芯片用拋光液主要由 Cabot、陶氏化學、Fujim 和 安集微電子等主導。2017 年，國外廠商的銷量市場總占有率超過 65.7%，呈現(xiàn)寡頭壟斷 的格局。2017 年，中國 CMP 拋光液產(chǎn)量達到了 538 萬升，預計 2025 年將達到 4100 萬 升，2017 年產(chǎn)值為 1.37 億元，預計 2025 年達到 10 億元，2018-2025 年復合增長率為 21.9%。

與國外巨頭相比，我國拋光液市場國產(chǎn)化程度較低且產(chǎn)品主要用于中低端領域，在該領域 重要地位的廠商還有上海新安納電子科技有限公司、湖北海力天恒納米科技有限公司、湖 南皓志科技股份有限公司等。

光掩膜：半導體制造的重要環(huán)節(jié)

光掩膜一般也稱光罩、掩膜版，是微電子制造中光刻工藝所使用的圖形母版，由不透明的 遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形，并通過曝光將圖形轉印到產(chǎn)品基板上。光掩膜主要 由兩部分組成：基板和不透光材料。作為半導體、液晶顯示器制造過程中轉移電路圖形“底 片”的高精密工具，光掩膜是半導體制程中非常關鍵的一環(huán)。

光掩膜上游主要包括圖形設計、光掩膜設備及材料行業(yè)，下游主要包括 IC 制造、IC 封裝、 平面顯示和印制線路板等行業(yè)，應用于主流消費電子、筆記本電腦、車載電子、網(wǎng)絡通信、 家用電器、LED 照明、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子等終端產(chǎn)品。

光掩膜產(chǎn)業(yè)位于電子信息產(chǎn)業(yè)的上游，其主導產(chǎn)品光掩膜是下游電子元器件制造商（生產(chǎn) 制造過程中的核心模具，起到橋梁和紐帶的作用，電子元器件制造商的產(chǎn)品則廣泛應用于 消費電子、家電、汽車等電子產(chǎn)品領域。

寡頭壟斷嚴重，國內企業(yè)僅能滿足中低檔需求

根據(jù)清溢光電招股說明書數(shù)據(jù)，半導體光掩膜市場集中度高，寡頭壟斷嚴重，Photronics、 大日本印刷株式會社 DNP 和日本凸版印刷株式會社 Toppan 三家占據(jù) 80%以上的市場份 額。我國的光掩膜版行業(yè)僅能夠滿足國內中低檔產(chǎn)品市場的需求，高檔光掩膜版則由國外 公司直接提供。近年來，我國光掩膜市場規(guī)模保持穩(wěn)步增長，2015 年我國光掩膜版需求 市場規(guī)模為 56.7 億元，2016 年國內需求市場規(guī)模增長至 59.5 億元，規(guī)模較上年同期增 長 4.9%。

根據(jù)清溢光電招股說明書數(shù)據(jù)，從需求上看，我國掩膜版需求增長穩(wěn)定，2011 年掩膜版 需求量為 5.09 萬平方米，2016 年，我國光掩膜版需求量達 7.98 萬平方米，年復合增長 率達到 9.41%。從供給上看，2011 年我國光掩膜版生產(chǎn)規(guī)模為 0.87 萬平方米，2016 年 生產(chǎn)規(guī)模增長至 1.69 萬平方米，復合增長率達到 14.20%。

濕電子化學品：細分產(chǎn)品繁多，應用領域廣泛

濕電子化學品，又稱工藝化學品或超凈高純試劑。其種類繁多，應用廣泛，是微電子、光 電子濕法工藝制程中使用的各種電子化工材料。作為電子技術與化工材料相結合的創(chuàng)新產(chǎn) 物，具有技術門檻高、資金投入大、產(chǎn)品更新?lián)Q代快等特點。超凈高純試劑一般要求塵埃 顆粒粒徑控制在 0.5µm 以下，雜質含量低于 ppm 級（ 10-6 為 ppm，10-9 為 ppb，是 10-12 為 ppt）的化學試劑，是化學試劑中對顆粒粒徑控制、雜質含量要求最高的試劑。目前廣 泛運用于半導體、太陽能硅片、LED 和平板顯示等電子元器件的清洗和蝕刻等工藝環(huán)節(jié)。

濕化學品的制備必須嚴格遵守國際半導體材料和設備組織（SEMI）的標準，SEMI 根據(jù)應 用領域的不同制定了相應的超純實際的要求等級，其中包含了對金屬雜志、顆粒大小、顆 粒個數(shù)、適應 IC 線寬范圍等指標做出了規(guī)定。G1 等級屬于低端產(chǎn)品，G2 屬于中低端， G3 屬于中高端產(chǎn)品，G4 和 G5 則屬于高端產(chǎn)品。

主要應用于半導體、平板顯示、太陽能電池等領域

濕電子化學品按用途主要分為通用化學品和功能性化學品。其中通用化學品是指單一的高 純試劑，在集成電路、液晶顯示器、太陽能電池、LED 制造工藝中被大量使用，主要包含 是各種酸堿和溶劑。其中酸類有：過氧化氫、氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、乙酸（醋 酸）、乙二酸（草酸）等；堿類包含：氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化納、氟化銨等；溶劑 類包含：甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、丁酮、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸 異戊酯、甲苯、二甲苯、環(huán)己烷、三氯乙烷、三氯乙烯等。功能性化學品指通過復配手段 達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復配類化學品，主要包括顯影液、剝 離液、清洗液、刻蝕液等。

按應用領域劃分的濕電子化學品主要集中在半導體、平板顯示、太陽能電池等多個領域。 即按下游產(chǎn)品應用的工藝環(huán)節(jié)分，主要包含平板顯示制造工藝的應用、半導體制造工藝的 應用及太陽能電池板制造工藝的應用。其中平板顯示制造領域對濕電子化學品的需求量最 高，半導體制造工藝用濕電子化學品是技術要求最高，主要集中 SEMI3、G4 的標準。國 內目前有少數(shù)企業(yè)產(chǎn)品技術可達到 G2 的等級，部分公司完成 G3 等級產(chǎn)品的送樣。

半導體用濕化學品工藝技術要求最高

根據(jù)下游行業(yè)的技術要求，半導體制造工藝用濕電子化學品的要求最高，一般在 G3 級以 上。半導體工業(yè)線寬的要求逐漸提升也促使相應配套的濕電子化學品純度要求的逐漸提高， 因此滿足納米級集成電路加工需求是超凈高純試劑未來發(fā)展方向之一。半導體產(chǎn)業(yè)分為集 成電路和分立器件兩大分支，根據(jù)工藝流程主要分為芯片設計、前段晶圓制作和后段封裝 測試。前段晶圓制作是整個半導體制造的核心工藝，而其中光刻和蝕刻技術是晶圓制作的 關鍵技術，其所需的濕電子化學品的技術要求非常之高通常達到 G3，G4 級以上。

在整個晶圓制造的過程中，濕電子化學品自始至終需要參與晶圓制造中出現(xiàn)的清洗、光刻、 蝕刻等工藝流程。在半導體集成電路的制造流程中，濕電子化學品主要參與半導體集成電 路前段的晶圓制造環(huán)節(jié)，也是技術要求的最高環(huán)節(jié)。并且隨著集成電路的集成度不斷提高， 要求線寬不斷變小，薄膜不斷變薄，對濕電子化學品的技術水平要求也更高。同時，為了 能夠滿足芯片尺吋更小、功能更強大、能耗更低的技術性能求，高端封裝領域所需的濕 電子化學品技術要求也越來越高。

半導體集成電路制造工藝用超凈高純試劑是濕電子化學品下游行業(yè)技術的要求的最高水 平。其次是平板顯示領域。在半導體生產(chǎn)過程中，大規(guī)模集成電路工藝有幾十道工序，工 藝制造過程中的空氣、水、各種氣體、化學試劑、工作環(huán)境、電磁環(huán)境噪聲以及微振動、 操作人員、使用的工具、器具等各種因素都可能帶來污染物，這些污染物可能會是微粒雜 質、無機離子、有機物質、微生物以及氣體雜質等物質。而這些污染物都需要相關的超凈 高純試劑去除。當污染物數(shù)量超過一定限度時，就會使集成電路產(chǎn)品發(fā)生表面擦傷、圖形 斷線、短路、針孔、剝離等現(xiàn)象。這會導致漏電、電特性異常等情況，輕者影響電路使用 壽命，嚴重時可導致電路報廢。

國外濕電子化學品發(fā)展現(xiàn)狀：歐美日占據(jù)主要市場份額

在全球范圍內，歐、美、日是濕電子化學品的主要供應商。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，歐美傳統(tǒng) 濕電子化學品企業(yè)占據(jù)約 33%的市場份額，代表企業(yè)有德國巴斯夫公司、美國亞什蘭集團、 德國 e.merck 公司、美國霍尼韋爾公司等。這些老牌化工企業(yè)擁有極強的技術優(yōu)勢，產(chǎn)品 等級可達到 SEMI G4 及以上級別，與半導體制造業(yè)發(fā)展幾乎保持同一步調；第二板塊是 由日本的十家左右的濕電子化學品企業(yè)占據(jù)全球市場份額的約 27%，日本化工業(yè)的發(fā)展雖 然晚于歐美的老牌企業(yè)，但發(fā)展速度快，目前工藝技術水平基本與歐美企業(yè)持平。

目前，濕電子化學品行業(yè)及高端市場主要由歐美和日本企業(yè)占主導；第三板塊是由韓國和 大中華地區(qū)的濕電子化學品市場所占領，約占市場份額的 38%。韓國和臺灣地區(qū)的濕電子 化學品生產(chǎn)技術和工藝水平較高，在高端市場領域可與歐美和日本生產(chǎn)技術相競爭。中國 大陸的濕電子化學品企業(yè)與世界整體水平目前還有一定的差距。

根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，國際上的大型濕電子化學品廠商主要有德國的 E.Merck 公司、美國 的 Ashland 公司、Sigma-Aldrich 公司、Mallinckradt Baker 公司、日本的 Wako、 Summitomo 等，2018 年這幾家產(chǎn)能占全球的 80%。通過研究發(fā)達國家化學試劑行業(yè)的 經(jīng)營模式，例如美國、德國、日本、瑞士等國家?；瘜W試劑行業(yè)的發(fā)展要經(jīng)歷三個階段。

第一個階段，企業(yè)需要通過自主經(jīng)營實現(xiàn)產(chǎn)品的自產(chǎn)自銷；

第二個階段，向配套設備、試 劑、服務方向發(fā)展，實現(xiàn)全產(chǎn)品線供應；

第三個階段，國際化學試劑大型企業(yè)的研發(fā)能力、 營銷網(wǎng)絡及資金實力在競爭中優(yōu)勢明顯，行業(yè)呈現(xiàn)結盟合作、重組兼并的格局，市場集中 度迅速提升。

國內濕電子化學品市場增長迅速，未來空間廣闊

在國內市場上，外資依舊占有較大份額，濕電子化學品主要被歐美、日韓企業(yè)、臺灣的企 業(yè)所占據(jù)。近幾年中國大陸、中國臺灣和韓國在濕電子化學品生產(chǎn)能力和工藝水平發(fā)展迅 猛，有與歐美和日本同類企業(yè)相競爭的趨勢，此外在市場上占有的份額也逐漸變大。

中國大陸在濕電子化學品的發(fā)展方面，尤其是高端市場的發(fā)展?jié)摿ψ畲?。最近幾年中國大陸?業(yè)開始發(fā)力，體現(xiàn)在向高端 IC 應用的逐漸邁進。目前中國大陸的濕化學品廠商如蘇州晶 瑞生產(chǎn)的雙氧水、氨水、硝酸已達到 SEMI G5 的標準；上海新陽生產(chǎn)的電鍍硫酸銅溶液 已經(jīng)能在 8~12 英寸的產(chǎn)線中應用；凱圣氟已經(jīng)可以提供 12 寸產(chǎn)線的氫氟酸；格林達化 學生產(chǎn)的正膠顯影液不僅填補了國內空白，還大量出口海外。

根據(jù)瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，我國濕電子化學品市場規(guī)模十年期間由 2009 的 15.02 億元到 2018 年的 79.62 億元，年復合增長率為 20.36%。2018 年，國內濕電子化學品需求量約 90.51 萬噸。到 2020 年，我國濕電子化學品市場規(guī)模有望超過 105.00 億元，需求量將達 到 147.04 萬噸，復合增長率有望達到 27.46%。三大行業(yè)的需求量都會不同程度增加，面 板行業(yè)需求量約 69.10 萬噸，半導體領域需求量為 43.53 萬噸，太陽能市場需求約 34.41 萬噸。

目前國內濕電子化學品主要通過進口為主，中國在濕電子化學品行業(yè)的研究基礎和生產(chǎn)工 藝相比較發(fā)達國家來說有一定程度的落后，長時間無法實現(xiàn)高端產(chǎn)品的生產(chǎn)技術，國內 80% 的產(chǎn)品都以高價進口為主，國內 8 英寸及以上集成電路、6 代線以上平板顯示用超凈高純 試劑，主要依賴國外進口。

進入 21 世紀，國內面板廠商快速擴大生產(chǎn)，因此對上游的濕電子化學品需求逐漸增大， 擴大了濕電子化學品的生產(chǎn)，其中液晶面板對濕化學品的需求最大。未來太陽能電池行業(yè) 的產(chǎn)量將會預期增加，對濕電子化學品的需求也會持續(xù)增加。

與進口國外產(chǎn)品相比，我國 濕電子化學品具有明顯的價格優(yōu)勢，并且減少了運輸成本，可以解決及時供貨的需求。國 內的部分企業(yè)通過多年的積累在產(chǎn)品的研發(fā)上取得了突破性的進步。逐漸打破了國外技術 壟斷的局面縮小了與外國企業(yè)的差距，未來進口替代具有廣闊發(fā)展空間。

近年來，我國龍頭企業(yè)發(fā)展迅速，資金投入量大，自主創(chuàng)新能力強，有望躋身高端市場。

文章來源： 行業(yè)研究報告；

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